OTF-1200X-VII-80-GF是一款高温高压管式炉，炉体拥有8个温区。仪器中配有气体控制柜以及氧分析仪，可使炉管内的气压在升降温过程中保持恒定，持别是对于氧化物的处理，可使炉管内的氧分压保持恒定。炉管采用高温镍基合会钢制作，最高可耐温1100°C。此款高温高压炉特意设计为氧化物超导线和氧物陶瓷进行热处理。
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VTC-500是一款实验型高真空金属用带炉，用于制备非晶态金属材料。在该工艺中，金属锭（<50g）通过感应加热的方式进行熔化，之后利用气流进行推动，通过坩埚底部细孔或扁口形成细流流落到快速旋的合铜辊表面，从而达到快速淬火的效果，得到非晶态金属带片。
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VTC-500W是一款气氛控制的金属甩带炉，可在不同气氛下制备金属带，此工艺中，金属块（<500g）通过感应加热的方式同化，然后通过气压被挤出坩埚。熔融态的金属流喷到快速转动的铜轮上，达到快速淬火&凝固，可得到非晶或微晶金属带。
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VTC-200S是一款桌面型真空金属甩带炉，用于制备非晶金属带。此工艺过程中，金属块（<20g）通过感应加热的方式融化，然后通过气压被挤出坩埚。熔融态的会属流喷到快速转动的铜轮上，达到快速淬火&凝固 可很到非晶或微金金属带（宽度< 10 mm）。此套系统安装于不锈钢腔体中，不锈钢箱体上有一个观察窗口。腔体可对真空泵，并目可通入气体。可确保甩带过程在无水和无氧的化境下进行。用户可调节铜轮的转速，电源的加热功率，温度和坩埚内的气压。
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VTC-W100是一款实验型高真空金属用丝炉，用于制备非晶态金属丝（直径<20um），工作方式为∶采用感应加热方式熔化金属，然后高速旋转铜辊相切与金属液面，甩出非晶态金属丝。
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SK-VE2000是款小型火焰法单晶生长炉，其温度可以高达2000℃。设备中配有质量流量计可调节氢气和氧气气流量，同时可调节料斗震动频率调节原粉料出料量，籽晶台可自动下降和转动。此设备专门设计用于生长各种氧化物晶体，如SrTiO3，Al2O3和TiO2单晶等。
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SP-MSM-4CZ是一款采用4电弧的提拉法单晶生长炉（采用Ar气电弧对样品熔融，提拉装置提拉），其温度可达3000℃。腔体为304不锈钢腔体（带有水冷夹层），真空度可达10-5Torr，此款单晶炉特别适合生长高熔点的单晶，如Ti单晶，YSZ，SiC和CeRh2Si等等。
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VBF-1700X-TSSG是—款顶部籽晶法晶体生长炉，可利用助溶剂法生长各种材料单晶。箱式炉采用氨化铝材楼料，以MoSi2为加热元件，其腔体尺寸为φ240mm×300mm（H），最高温度可达1700℃。24段可编程控制器，可根据不同的客户需求来设定升降温程序，控温精度可达±0.1℃，配备精密旋转提拉机构可用于生长各种晶体材料，提拉速度和旋转速度均可根据客户需求进行定制。
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SKJ-BG-1200是一款小型的1200℃布里奇曼单晶生长炉，配有内径Φ72mm石英管和精密炉体移动机构（最大行程200mm）， 此设备设计用于在气氛控制环境下生长小尺寸的单晶或材料定向凝固。
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SKJ-BG1650是一款高质量的布里奇曼晶单晶生长炉，最高温度口达1650℃。此款设备可生长出各种金属单晶 目前本公司用此款设备已经生长出Cu，Ag，Au和Mg等单晶，其直径可达37mm。电动坩埚放置系统，方便与放样和取样。此设备适合于生长各种金属，氧化物等晶体，也和作为多晶棒定向凝固使用。
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2200℃高温顶部籽晶溶液生长炉（TSSG）是一套有高频感应加热系统和密封石英腔室组成，采用 28 段可编程温度控制器控制升温的晶体生长炉系统，带有石墨坩埚与提拉机构，可用于碳化硅、蓝宝石等晶体的生长。
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IMCS-2000-CZ是一款小型的提拉法（CZ）晶体生长炉。可用于生长各种金属和氧化物单晶，所生长晶体的直径小于25mm。此设备最高温度可达2100℃，可用于生长Al2O3，GGG，YAG，LaAlO3，Si，Ge和各种金属单晶等。
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