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GSL-1700X

G​SL-1700X 系列真空管式高温炉以硅钼棒为发热元件,额定温度 1600℃,采用 B 型双铂 铑热电偶测温和 518P 温控仪自动控温,具有较高的控温精度(±1℃)。此外该炉具有真空 装置,可在多种气氛下工作,大大提高了其使用范围。该炉具有使用温度高、高精度控温、 操作简单、维修方便等优点,可广泛用于冶金、机械、轻工、商检、高等院校及科研部门。

GSL-1700X

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管式炉 GSL-1600X

GSL-1600X 该款箱式炉以硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和 30 段程序控温,B 型热电偶,双层炉壳间配有风冷循环系统,最高温度能达到 1600℃,可在 1550℃下连续工 作,控温精度±1℃;该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点,是 高校、科研院所、工矿企业做新材料样品的烧结或是退火(在真空或是惰性气体保护状态下) 的理想产品。

管式炉 GSL-1600X

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单温区开启式管式炉GSL-1500X-OTF

釆用双层壳体结构,并带有风冷系统 •炉膛采用高纯多晶氧化铝纤维,最大程度的减少能量损失 •内炉膛表面涂有美国进口 1750度高温氧化铝涂层可以提高反射率及设备的 加热效率,同时也可以延长仪器的使用寿命

单温区开启式管式炉GSL-1500X-OTF

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管式炉 GSL-1400X

GSL-1400X 是一款通过 CE 认证的小型高温管式炉,其炉管采用的高纯氧化铝刚玉管, 加热元件为硅碳棒。一起本身带有两个真空密封法兰(法兰上已安装机械压力表和不锈钢截 止阀),控制系统采用高精度可控硅移相除法控制,控温方式采用 30 段程序设置,最高温度 可达 1400℃。

管式炉 GSL-1400X

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管式炉 GSL-1100X-S

GSL-1100X-S 是一款已通过 CE 认证的小口径管式炉,是专为制备小样品设计,最高温度 可达 1100℃,标配内包含不锈钢密封法兰与石英管,客户接通电源即可立即使用。30 段可 编程精密温度控制器,可根据不同的客户需求来设定升降温程序。控温精度±1℃。炉体可 垂直或水平放置以满足不同的应用,如 VSL、VD 等淬火试验

管式炉 GSL-1100X-S

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微型管式炉 GSL-1000X-S

GSL-1000X-S 是一款微型管式炉(管径:20mm),最高温度可达 1000℃,标配内包含不锈钢密封法兰与石英管,客户接通电源即可立即使用。30 段可编程精密温度控制器,可根据不同的客户需求来设定升温程序。炉体可垂直或水平放置以满足不同的应用,如样品热处理、VSL、CVD 以及气体分析等实验工艺中

微型管式炉 GSL-1000X-S

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KSL-1400X-MW

KSL-1400X-MW是一款微波款速加热的实验型箱式炉,与传统马弗炉相比较为节省时间,大大提高工作效率,适用于电子陶瓷、磁性材料电子陶瓷粉体、锂离子电池正极材材料及其他无机氧化物粉体的烧结制备。

KSL-1400X-MW

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1600℃实验型微波箱式炉

KSL-1600X-MW6是一款微波快速加热的实验型箱式炉,加热速率可达60℃/min,适用于电子陶瓷,磁性材料电子陶瓷粉体、锂离子电池正极材材料及其他无机氧化物粉体的烧结制备。

1600℃实验型微波箱式炉

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1700℃的液相外延晶体生长炉-VBF-1700-LPE

VBF-1700-LPE是为生长YIG单晶而设计的液相外延生长炉。

1700℃的液相外延晶体生长炉-VBF-1700-LPE

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VBF-1200X-TSSG

VBF-1200X-TSSG是一款顶部籽晶法晶体生长炉,可利用助溶剂法生长各种材料单晶。配备精密旋转提拉机构可用于顶部籽晶助溶剂法生长各种晶体材料,提拉和旋转速度采用PLC触摸屏控制,操作简便。箱式炉采用氧化铝纤维作为炉膛材料,以电阻丝为加热元件,其腔体尺寸为φ240mm×200mm(H),最高温度可达1200℃。采用欧陆仪表进行控温,可根据不同的客户需求来设定升降温程序(最高24段),控温精度可达±0.1℃。

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KSL-1700X-S-H

KSL-1700X-S-H是一款紧凑型的混合箱式炉,采用4.7"×4.7"×4.7"高纯度纤维状氧化铝腔,配有两个直径为18mm的氧化铝管,利用垫砖将炉膛分为两层,可放置较多的实验样品。使用温度800℃C-1700°C。该设备是在空气和控制气氛中处理小样品的较好炉型。

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立式真空炉 VBF-1200X-E8

VBF-1200X-E8 是一款可升降的立式气氛管式炉,底部安装有升降台,可实现样品快速气体冷却。可放入样品的最大尺寸为φ200*50mm。样品加热采用 PID 方式控温,可设置 30段升降温程序。

立式真空炉 VBF-1200X-E8

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